内存

三星已开始量产用于下一代大容量固态硬盘的新型 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称，其第九代 QLC V-NAND 结合了人工智能时代的"多项突破性技术"，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面实现了多项改进。 继2024 年 4 月开始生产的第九...

5 月 4 日消息，科学家近日研发了新型内存，可以在 600 摄氏度高温下运行超过 60 小时，相关成果发表在《Nature Electronics》上。 图源：宾夕法尼亚大学 该论文叫做《可扩展的铁电非易失性存储器》，内存器件主要使用了非易失性铁电二极管，表现出卓越的耐热性，可以部署在尖...

4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。 这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好...

3月25日消息，据媒体报道，美光展示了单条256GB的DDR5-8800内存，属于MCRDIMM模块。 据悉，美光近期展示了其创新的单条256GB DDR5-8800内存，这款内存以非标准高度设计，同时为了满足1U服务器的需求，美光还推出了标准高度款。 非标准高度款内存采用了32Gb DD...

2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。

2 月 22 日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代 DRAM 等成熟的存储技术。