日前，工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》（以下简称“目录”）中显示，中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目录中，公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm指标引发了业内的关注。
日前，工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》（以下简称“目录”）中显示，中国已攻克氟化氩光刻机，其中该目录中，公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm指标引发了业内的关注。
几乎是与此同时，上海微电子披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。两则消息凑在一起，某些媒体和所谓大V们据称撰文称，该设备可以用于生产8纳米及以下工艺的芯片制造，甚至EUV光刻机的推出也是指日可待。于是乎又一波中国通过自主创新，突破封锁的情绪开始蔓延。
事实究竟如何？
差距15-20年，ASML领先太多
针对我们开篇所说的情绪蔓延，也有不乏理性的媒体和业内人士，从客观真实的角度分析了我们这个所谓的氟化氩光刻机可能具备的真实代际水平和性能（注：我们之所以使用“可能”，是因为目录中披露的信息相当不完整，例如关键的NA数值孔径、产能等），这里我们不再赘述，有兴趣的读者可以自行搜索（如果有幸还能找到的话，不过我们强烈推荐微信公众号“梓豪谈芯”中相关的原创文章）。
我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机，实际制程约为55nm，技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT 1460K，甚至部分关键指标不如ASML 2006年推出的干式DUV光刻机XT 1450，所以总体差距在15—20年。
对标有失偏颇，曝出尼康NSR-S636E狠角色
曾几何时，我们在光刻机领域，始终将ASML作为主要的追赶对象，包括此次目录中引发争议的套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机，业内也都是将其与ASML类似的机型作为对比（目的是为了推断出咱们这款光刻机的实际水平），例如我们之前提及的ASML于2015年二季度出货的TWINSCAN XT 1460K，也有的将其与ASML的TWINSCAN NXT 1980Fi对比，例如知名的《南华早报》。
从客观的角度看，我们认为《南华早报》的这个对比有失偏颇，毕竟TWINSCAN NXT 1980Fi采用的是浸没式，而业内可以确认的是，我们的套刻≤8nm氟化氩光刻机采用的依然是干式。
不要小看这文字上的差异，其实相较于传统的干法光刻，浸润式光刻利用液体浸润光刻胶层，能够在光刻过程中更好地处理表面不平整和凹凸不平的结构。这种工艺能够提高分辨率和制程的一致性。
