硬件

2024-01-11

三星研发全新内存技术 LLW DRAM,拥有超高带宽、低延迟、低功耗

三星近日透露正积极研发一种新型内存,名为 LLW DRAM,意为低延迟宽 I / O (Low Latency Wide I / O) DRAM。据称,这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示,LLW DRAM 特别适用于需要在设备上运行大型语言模型(LLM)的设备,但其广泛的性能优势也适用于各种客户端工作负载。

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